三星制程将增加%的光刻层

三星制程将增加%的光刻层

7月19日消息，据韩媒TheElec报道，与三星的3nm制程相比，三星制程将增加%的光刻层明年即将量产三星2nm制程将会多出30%的极紫外（EUV）光刻层。三星于2018年首次开始在其7nm逻辑制程工艺节点上开始应用EUV，从那时起，随着迁移到5nm，再到3nm，三星在芯片生产过程中的EUV光刻层的数量或EUV工艺步骤的数量也在持续增长。报道援引消息人士的话表示，三星的2nm制程已经增加到了20层的EUV光刻层。而三星的1.4nm则预计将有30多个EUV光刻层。与此同时，三星也将EUV应用于其DRAM生产。三星为其...