三星制程将增加%的光刻层

7月19日消息，据韩媒TheElec报道，与三星的3nm制程相比，三星制程将增加%的光刻层明年即将量产三星2nm制程将会多出30%的极紫外（EUV）光刻层。

三星于2018年首次开始在其7nm逻辑制程工艺节点上开始应用EUV，从那时起，随着迁移到5nm，再到3nm，三星在芯片生产过程中的EUV光刻层的数量或EUV工艺步骤的数量也在持续增长。

报道援引消息人士的话表示，三星的2nm制程已经增加到了20层的EUV光刻层。而三星的1.4nm则预计将有30多个EUV光刻层。

与此同时，三星也将EUV应用于其DRAM生产。三星为其第6代10nmDRAM应用了多达7个EUV层，而SK海力士则应用了5个EUV光刻层。随着越来越多的芯片制造商扩大其EUV工艺步骤，光刻胶、空白掩模和薄膜等相关行业也有望增长。

根据三星此前公布的工艺路线图显示，2nmSF2制程2025年推出，较第二代3GAP3nm制程，相同运计算频率和复杂度情况下课降低25%功耗，相同功耗和复杂度情况下课提高12%计算性能，减少5%芯片面积。

接下来的2nmSF2Z制程采用了优化的背面供电网络(BSPDN)技术，该技术将电源轨置于晶圆背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代2nm节点SF2相比，将BSPDN技术应用于SF2Z不仅可以提高功率、性能和面积(PPA)，还可以显著降低电压降(IR降)，从而提高HPC设计的性能。SF2Z预计将于2027年实现量产。

三星还公布了其他2nm工艺的发布日期。用于移动领域的SF2和SF2P将分别于2025年和2026年推出。针对人工智能和高性能计算的2nm工艺将于2026年推出，早于BSPDN工艺。该公司还将于2027年推出用于汽车的SF2A工艺。

编辑：芯智讯-浪客剑