韩国首个氧化镓问世

韩国首个氧化镓问世

7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓（Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）。source：Siegtronics据悉，氧化镓是一种宽带隙（WBG）材料，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相比，具有更宽带隙和更高的临界击穿场强。它克服了现有产品的缺点——低击穿电压（VB）和高漏电流（IL），实现了差异化的高压、大电流、耐高温、高效率应用，在电动汽车的电源转换器、电驱和逆变器等领域应用备受关注。氧化镓普遍被业界认为是“第四代半导体”材料，韩国首个氧化镓问世...