为了英伟达你追我赶！三星用豪赌海力士却瞄准了硅中介层

为了英伟达你追我赶！三星用豪赌海力士却瞄准了硅中介层

《科创板日报》7月16日讯（编辑朱凌）从HBM3E芯片的10nm制程，一下子跳到4nm制程，三星正企图在第六代高带宽内存芯片（HBM4）超越SK海力士与台积电，为了英伟达你追我赶！三星用豪赌海力士却瞄准了硅中介层夺回主导地位。韩国经济日报援引消息人士的话称，三星将采用4nm制程生产HBM4芯片逻辑裸晶，超出了业界预期的7~8nm制程。尽管4nm制程成本比7~8nm制程高得多，但在性能和功耗方面拥有巨大优势。三星4nm制程的良品率已经超过70%，已应用于三星GalaxyS24旗舰手机的Exynos2400处理器。伴随...