支持在上堆叠内存，三星封装技术今年商用

facai888 科技应用 2024-08-20 747 0 支持在上堆叠内存三星封装技术今年商用

6月18日消息，支持在上堆叠内存，三星封装技术今年商用据《韩国经济日报》报道，三星将于今年推出高带宽内存(HBM)的3D封装服务，该报道援引了三星日前在美国圣何塞举行的2024年三星代工论坛上的声明以及“业内消息人士”的说法，三星3D封装技术基本上将为2025年底至2026年的HBM4集成铺平道路。

对于3D封装，三星此前就曾推出了一个名为SAINT（三星先进互连技术）的平台，其中包括三种不同的3D堆叠技术：用于SRAM的SAINT-S、用于逻辑的SAINT-L和用于在CPU或GPU等逻辑芯片之上堆叠DRAM的SAINT-D。

其中，三星在2022年正式宣布推出SAINT-D之后，已经研发了数年，预计今年将正式商用，这将是全球最大内存制造商和领先代工厂的一个重要里程碑。

三星的新型3D封装方法涉及将HBM芯片垂直堆叠在处理器顶部，这与现有的通过硅中介层水平连接HBM芯片和GPU的2.5D技术不同。这种垂直堆叠方法消除了对硅中介层的需要，但需要使用复杂的工艺技术制造的用于HBM内存的新基片。

3D封装技术为HBM提供了显著的优势，包括更快的数据传输、更清晰的信号、更低的功耗和更低的延迟，但封装成本相对较高。三星计划以交钥匙服务的形式提供这种先进的3DHBM封装，其内存业务部门生产HBM芯片，代工部门为无晶圆厂公司组装实际的处理器。

目前尚不清楚的是，三星今年计划用SAINT-D提供什么产品。将HBM放在逻辑芯片上需要适当的芯片设计，目前尚不清楚还有其他公司将HBM放在其他芯片顶部，并计划于2024年至2025年上半年推出。