海力士计划在年底量产层

8月3日消息，据etnews报道，SK海力士计划在2025年上半年量产321层NANDFlash之后，在2025年底开始量产400层NANDFlash，并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。

然而，要想量产高达400层的NANDFlash并不容易，生产过程中需要用到多种键合技术。SK海力士已经在审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术将允许通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。

整个过程需要几个步骤，如Cell结构设计，重点是每层Cell的排列和堆叠。然后通过清洗和沉积SiO2和Si3N4薄膜层来制备硅片。然而，当通过大量重复逐一堆叠层时，该过程需要细致地执行。

SK海力士达到400层的方法是通过PeripheralUnderCell方法将控制存储单元的外围电路位于底部，而存储单元则堆叠在顶部。这种方法会提升集成度，控制尺寸，但也确实会带来损坏外围电路的问题，因为添加层会产生更多的热量和压力。

因此，SK海力士正计划实施混合键合方法，海力士计划在年底量产层该方法涉及在两个单独的晶圆上分别制造存储单元和外围电路。然后，通过混合键合技术将晶圆粘合在一起，以降低损坏的风险。通过高层数，NAND芯片可以在不增加尺寸的情况下存储更多的数据。这不仅为紧凑型系统节省了空间并增加了存储容量，而且还带来了更经济的存储解决方案。

SK海力士此前已经实现了321层NANDFlash的样品，并于2023年8月展出，目前计划于2025年上半年开始量产。美光最近推出了具有276层的NANDFlash。三星已开始大规模生产具有290层的TLC单元，即第9代垂直堆叠NANDFlash。

相对于SK海力士400层NANDFlash的目标，三星期待在2030年推出高达1000层的NANDFlash。而目前只达到218层NANDFlash的日本铠侠公司计划在三星之前达到1000层。

编辑：芯智讯-浪客剑