三星准备扩产NAND

韩媒报道，业内人士透露，三星电子决定在平泽第4工厂（P4）建设NAND闪存生产线。据证实，已下达正式订单，计划在本月底引进主要设备。

三星电子是全球最大的DRAM和NAND闪存生产商，三星的这一动作被解读为基于半导体市场已进入全面好转的判断而做出的决定。

据了解，三星电子之所以决定在P4工厂中首先生产NAND闪存而不是DRAM，是因为人工智能（AI）服务器对NAND闪存的需求非常强劲。AI服务器是用于AI学习和推理的计算设备，不仅需要内存，还需要快速的数据存储设备来进行高速计算。

业内人士表示，“与消费级SSD相比，AI服务器制造商对于企业级SSD（eSSD）的需求正在迅速增长”，“市场排名第一的三星电子正在扩大其产能作为回应。”

新的P4产线预计将量产第9代V-NAND。三星电子宣布计划从今年下半年开始量产第9代QLCV-NAND。QLC每个单元可以存储4位，单位面积容量比TLC更高，适合需要高容量和高性能的eSSD。

此外，三星准备扩产三星电子计划继NAND之后建设P4的DRAM生产线。内存投资似乎正在全面恢复，其战略不仅是响应高带宽内存(HBM)的需求，而且还增加其在通用DRAM市场的稳固市场份额。