消息称海力士五层堆叠内存良率已达%

IT之家6月24日消息，韩媒BusinessKorea报道，业内人士透露SK海力士在6月16至20日在美国夏威夷举行的VLSI2024峰会上发表了有关3DDRAM技术的最新研究论文。

在这篇论文中，SK海力士报告其五层堆叠的3DDRAM内存良率已达56.1%，实验中的3DDRAM展现出与目前2DDRAM相似的特性。

据介绍，与传统的DRAM水平排列内存单元不同，3DDRAM垂直堆叠单元，可以在相同空间内实现更高的密度。

不过，SK海力士指出，与2DDRAM的稳定运行不同，消息称海力士五层堆叠内存良率已达=DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32到192层存储单元才能实现普遍应用。

IT之家注意到，三星正在开发16层堆叠3DDRAM，并在今年3月的MemCon2024展会上宣布计划在2030年左右实现3DDRAM产品商业化应用。